全部分类
传感器,变送器
传感器,变送器
集成电路(IC)
集成电路(IC)
连接器,互连器件
连接器,互连器件

AIMW120R060M1HXKSA1

1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
产品型号AIMW120R060M1HXKSA1
品牌Infineon Technologies
包装管件
描述1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
MR编号M623715005
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列448
包装管件
封装/外壳TO-247-3
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
等级汽车级
技术SiCFET(碳化硅)
资质AEC-Q101
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO247-3-41
功率耗散(最大值)150W(Tc)
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)1200 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1060 pF @ 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)78 毫欧 @ 13A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.7V @ 5.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)31 nC @ 18 V
Vgs(最大值)+23V,-7V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
工之芯商城提供AIMW120R060M1HXKSA1引脚图查看,AIMW120R060M1HXKSA1中文资料pdf下载,AIMW120R060M1HXKSA1使用说明书查看,AIMW120R060M1HXKSA1参数pdf下载, AIMW120R060M1HXKSA1工作原理,AIMW120R060M1HXKSA1驱动电路图,AIMW120R060M1HXKSA1数据手册,AIMW120R060M1HXKSA1如何测量, AIMW120R060M1HXKSA1接线图查看
现货:220
数 量:
¥199.633
总 价:
¥199.633
管件
数量价格
1¥199.633
30¥129.339
120¥128.454
制造商标准包装数量
DMP2035UFCL-7MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFNDiodes Incorporated

¥1.601详细信息

NVR5198NLT1GMOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3onsemi

¥0.934详细信息

MRF8S19140HR3RF MOSFET LDMOS 28V NI780NXP USA Inc.

¥0详细信息

STD45N10F7MOSFET N-CH 100V 45A DPAKSTMicroelectronics

¥4.566详细信息

EPC2023GANFET N-CH 30V 60A DIEEPC

¥38.158详细信息