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集成电路(IC)
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连接器,互连器件
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EPC2019

GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
产品型号EPC2019
品牌EPC
包装卷带(TR)
描述GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
MR编号M795732386
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列eGaN®
包装卷带(TR)
封装/外壳模具
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
等级-
技术GaNFET(氮化镓)
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装模具
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)200 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0040
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现货:89103
数 量:
¥13.194
总 价:
¥13.194
卷带(TR)
数量价格
1000¥13.194
制造商标准包装数量
DMN2990UFB-7BMOSFET N-CH 20V 780MA 3DFNDiodes Incorporated

¥0.329详细信息

IXTY48P05TMOSFET P-CH 50V 48A TO252Littelfuse Inc.

¥29.047详细信息

BSS138Q-7-FMOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3Diodes Incorporated

¥0.348详细信息

DMN2025U-7MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3Diodes Incorporated

¥0.476详细信息

CSD17301Q5AMOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSONTexas Instruments

¥4.832详细信息