IMBG120R008M2HXTMA1
SIC DISCRETE产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列CoolSiC™ Gen 2
包装卷带（TR）
封装/外壳TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
等级-
技术SiCFET（碳化硅）
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO263-7-12
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）1200 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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卷带（TR）
数量价格
1000￥246.167
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