全部分类
传感器,变送器
传感器,变送器
集成电路(IC)
集成电路(IC)
连接器,互连器件
连接器,互连器件

IPD025N06NATMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
产品型号IPD025N06NATMA1
品牌Infineon Technologies
包装卷带(TR)
描述MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
MR编号M446425613
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列448
包装卷带(TR)
封装/外壳TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
技术MOSFET(金属氧化物)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO252-3
功率耗散(最大值)3W(Ta),167W(Tc)
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)60 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5200 pF @ 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.5 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 95µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)71 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
工之芯商城提供IPD025N06NATMA1引脚图查看,IPD025N06NATMA1中文资料pdf下载,IPD025N06NATMA1使用说明书查看,IPD025N06NATMA1参数pdf下载, IPD025N06NATMA1工作原理,IPD025N06NATMA1驱动电路图,IPD025N06NATMA1数据手册,IPD025N06NATMA1如何测量, IPD025N06NATMA1接线图查看
现货:10023
数 量:
¥7.765
总 价:
¥7.765
卷带(TR)
数量价格
2500¥7.765
制造商标准包装数量
SIR588DP-T1-RE3N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix

¥2.906详细信息

SIJA22DP-T1-GE3MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAKVishay Siliconix

¥3.642详细信息

IXTX32P60PMOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3Littelfuse Inc.

¥148.498详细信息

IPP60R190C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3Infineon Technologies

¥16.598详细信息

NTPF110N65S3HFMOSFET N-CH 650V 30A TO220FPonsemi

¥32.106详细信息