IPT017N10NF2SATMA1
MOSFET产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列448
包装卷带（TR）
封装/外壳8-PowerSFN
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-HSOF-8-10
功率耗散（最大值）3.8W（Ta），300W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）100 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）9300 pF @ 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)33A（Ta），294A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.75 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.8V @ 216µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：796制造商标准包装数量
数 量:
￥15.372
总 价:
￥15.372
卷带（TR）
数量价格
1800￥15.372
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