全部分类
传感器,变送器
传感器,变送器
集成电路(IC)
集成电路(IC)
连接器,互连器件
连接器,互连器件

IPT017N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
产品型号IPT017N12NM6ATMA1
品牌Infineon Technologies
包装卷带(TR)
描述OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
MR编号M311844442
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列448
包装卷带(TR)
封装/外壳8-PowerSFN
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
技术MOSFET(金属氧化物)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-HSOF-8
功率耗散(最大值)3W(Ta),395W(Tc)
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)120 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)11000 pF @ 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)29A(Ta),331A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.7 毫欧 @ 150A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)141 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
工之芯商城提供IPT017N12NM6ATMA1引脚图查看,IPT017N12NM6ATMA1中文资料pdf下载,IPT017N12NM6ATMA1使用说明书查看,IPT017N12NM6ATMA1参数pdf下载, IPT017N12NM6ATMA1工作原理,IPT017N12NM6ATMA1驱动电路图,IPT017N12NM6ATMA1数据手册,IPT017N12NM6ATMA1如何测量, IPT017N12NM6ATMA1接线图查看
现货:577
数 量:
¥23.871
总 价:
¥23.871
卷带(TR)
数量价格
2000¥23.871
制造商标准包装数量
IPB60R160C6ATMA1MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAKInfineon Technologies

¥14.687详细信息

VN0109N3-GMOSFET N-CH 90V 350MA TO92-3Microchip Technology

¥6.553详细信息

SSM3J375F,LFMOSFET P-CH 20V 2A S-MINIToshiba Semiconductor and Storage

¥0.375详细信息

FDT86246LMOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4onsemi

¥2.707详细信息

STF43N60DM2MOSFET N-CH 600V 34A TO220FPSTMicroelectronics

¥43.97详细信息