IRFD210PBF
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装散装
封装/外壳4-DIP（0.300"，7.62mm）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
等级-
技术MOSFET（金属氧化物）
资质-
安装类型通孔
供应商器件封装4-HVMDIP
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）200 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：11384制造商标准包装数量
数 量:
￥6.846
总 价:
￥6.846
散装
数量价格
1￥6.846
10￥5.583
100￥4.341
500￥3.68
1000￥3.64
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