NVTFS6H888NTAG
MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带（TR）
封装/外壳8-PowerWDFN
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
等级汽车级
技术MOSFET（金属氧化物）
资质AEC-Q101
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-WDFN（3.3x3.3）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）80 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：4480制造商标准包装数量
数 量:
￥1.826
总 价:
￥1.826
卷带（TR）
数量价格
1500￥1.826
3000￥1.627
7500￥1.54
10500￥1.426
37500￥1.412
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