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SIHJ10N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
产品型号SIHJ10N60E-T1-GE3
品牌Vishay Siliconix
包装卷带(TR)
描述MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
MR编号M681075090
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列E
包装卷带(TR)
封装/外壳PowerPAK® SO-8
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
等级-
技术MOSFET(金属氧化物)
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)600 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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现货:13146
数 量:
¥9.23
总 价:
¥9.230
卷带(TR)
数量价格
3000¥9.23
6000¥8.884
制造商标准包装数量
2729GN-270VPRF MOSFET GAN 55-QPMicrochip Technology

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