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SIR846ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
产品型号SIR846ADP-T1-GE3
品牌Vishay Siliconix
包装卷带(TR)
描述MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
MR编号M688022755
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列TrenchFET®
包装卷带(TR)
封装/外壳PowerPAK® SO-8
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
技术MOSFET(金属氧化物)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
功率耗散(最大值)5.4W(Ta),83W(Tc)
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)100 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2350 pF @ 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)66 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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现货:5900
数 量:
¥6.577
总 价:
¥6.577
卷带(TR)
数量价格
3000¥6.577
制造商标准包装数量
FCH023N65S3L4MOSFET N-CH 650V 75A TO247onsemi

¥164.512详细信息

FDBL86062-F085MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOFonsemi

¥26.156详细信息

CSD17556Q5BTMOSFET N-CH 30V 100A 8VSONTexas Instruments

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