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SISS61DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
产品型号SISS61DN-T1-GE3
品牌Vishay Siliconix
包装卷带(TR)
描述MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
MR编号M321333959
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列TrenchFET® Gen III
包装卷带(TR)
封装/外壳PowerPAK® 1212-8S
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
等级-
技术MOSFET(金属氧化物)
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8S
FET 类型P 通道
漏源电压(Vdss)20 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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现货:7124
数 量:
¥2.875
总 价:
¥2.875
卷带(TR)
数量价格
3000¥2.875
6000¥2.738
9000¥2.612
制造商标准包装数量
FDB2710MOSFET N-CH 250V 50A D2PAKonsemi

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