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STH410N4F7-2AG

MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
产品型号STH410N4F7-2AG
品牌STMicroelectronics
包装卷带(TR)
描述MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
MR编号M223842681
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列STripFET™ F7
包装卷带(TR)
封装/外壳TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
等级汽车级
技术MOSFET(金属氧化物)
资质AEC-Q101
安装类型表面贴装型
供应商器件封装H2PAK-2
功率耗散(最大值)365W(Tc)
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)40 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)11500 pF @ 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.1 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)141 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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现货:1253
数 量:
¥20.615
总 价:
¥20.615
卷带(TR)
数量价格
1000¥20.615
制造商标准包装数量
SIR4604DP-T1-GE3N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix

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