AIMBG120R080M1XTMA1
SIC_DISCRETE产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列448
包装卷带（TR）
封装/外壳TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
工作温度-55°C ~ 175°C
技术SiCFET（碳化硅）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO263-7-12
功率耗散（最大值）-
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）-
Vgs（最大值）-
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：551制造商标准包装数量
数 量:
￥45.518
总 价:
￥45.518
卷带（TR）
数量价格
1000￥45.518
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