BY25Q256FSWIG(R)
256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -产品型号BY25Q256FSWIG(R)
品牌BYTe Semiconductor
包装卷带（TR）
描述256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
MR编号M668130988
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录集成电路（IC） 存储器
系列-
包装卷带（TR）
封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
工作温度-40°C ~ 85°C（TA）
等级-
技术FLASH - NOR（SLC）
电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-WSON（5x6）
存储容量256MB
存储器类型非易失
存储器格式闪存
存储器组织32M x 8
存储器接口SPI - 四 I/O，QPI
时钟频率100 MHz
写周期时间 - 字，页50µs，2.4ms
访问时间7 ns
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)3（168 小时）
ECCN-
HTSUS-
现货：3000制造商标准包装数量
数 量:
￥11.058
总 价:
￥11.058
卷带（TR）
数量价格
3000￥11.058
6000￥10.641
IS43DR16640B-25DBLI-TRIC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGAISSI, Integrated Silicon Solution Inc
￥45.289详细信息
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