C3M0025065K
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列C3M™
包装管件
封装/外壳TO-247-4
工作温度-40°C ~ 175°C（TJ）
技术SiCFET（碳化硅）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-4L
功率耗散（最大值）326W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）650 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2980 pF @ 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)97A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）34 毫欧 @ 33.5A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.6V @ 9.22mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）112 nC @ 15 V
Vgs（最大值）+19V，-8V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：450制造商标准包装数量
数 量:
￥224.46
总 价:
￥224.460
管件
数量价格
1￥224.46
30￥146.53
120￥143.264
工商网监