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集成电路(IC)
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连接器,互连器件
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DMN2005UFG-13

MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
产品型号DMN2005UFG-13
品牌Diodes Incorporated
包装卷带(TR)
描述MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
MR编号M184569425
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带(TR)
封装/外壳8-PowerVDFN
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
等级-
技术MOSFET(金属氧化物)
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装POWERDI3333-8
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)20 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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现货:5937
数 量:
¥1.537
总 价:
¥1.537
卷带(TR)
数量价格
3000¥1.537
6000¥1.456
9000¥1.375
制造商标准包装数量
BSC196N10NSGATMA1MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSONInfineon Technologies

¥3.401详细信息

SPA17N80C3XKSA1MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3Infineon Technologies

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