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DMN2009USS-13

MOSFET N-CH 20V 8SOIC
产品型号DMN2009USS-13
品牌Diodes Incorporated
包装卷带(TR)
描述MOSFET N-CH 20V 8SOIC
MR编号M758750604
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带(TR)
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
等级-
技术MOSFET(金属氧化物)
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SO
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)20 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)3(168 小时)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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现货:884
数 量:
¥1.601
总 价:
¥1.601
卷带(TR)
数量价格
2500¥1.601
5000¥1.516
12500¥1.434
制造商标准包装数量
PD55025STR-ERF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RFSTMicroelectronics

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