DMP21D6UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN产品型号DMP21D6UFB4-7B
品牌Diodes Incorporated
包装卷带（TR）
描述MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
MR编号M848863013
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带（TR）
封装/外壳3-XFDFN
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装X2-DFN1006-3
功率耗散（最大值）510mW（Ta）
FET 类型P 通道
漏源电压（Vdss）20 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）46.1 pF @ 10 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)580mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）0.8 nC @ 8 V
Vgs（最大值）±8V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
现货：9986近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥0.652
总 价:
￥0.652
卷带（TR）
数量价格
10000￥0.652
20000￥0.610
30000￥0.584
50000￥0.555
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