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传感器,变送器
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集成电路(IC)
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连接器,互连器件
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DMT12H090LFDF4-7

MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
产品型号DMT12H090LFDF4-7
品牌Diodes Incorporated
包装卷带(TR)
描述MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
MR编号M334908027
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带(TR)
封装/外壳6-PowerXDFN
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
等级-
技术MOSFET(金属氧化物)
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装X2-DFN2020-6
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)115 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
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现货:2990
数 量:
¥2.523
总 价:
¥2.523
卷带(TR)
数量价格
3000¥2.523
6000¥2.39
9000¥2.258
制造商标准包装数量
SISA88DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAKVishay Siliconix

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