EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列eGaN®
包装卷带（TR）
封装/外壳模具
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
等级-
技术GaNFET（氮化镓）
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装模具
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）200 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0040
现货：17516制造商标准包装数量
数 量:
￥8.918
总 价:
￥8.918
卷带（TR）
数量价格
2500￥8.918
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