EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列eGaN®
包装卷带（TR）
封装/外壳模具
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
等级汽车级
技术GaNFET（氮化镓）
资质AEC-Q101
安装类型表面贴装型
供应商器件封装模具
功率耗散（最大值）-
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）80 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）415 pF @ 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）17 毫欧 @ 11A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）4 nC @ 5 V
Vgs（最大值）+5.75V，-4V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0040
现货：56340近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥9.293
总 价:
￥9.293
卷带（TR）
数量价格
2500￥9.293
工商网监