FCP360N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列SuperFET® III
包装管件
封装/外壳TO-220-3
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220-3
功率耗散（最大值）83W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）650 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）730 pF @ 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）360 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±30V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)不适用
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：407制造商标准包装数量
数 量:
￥24.109
总 价:
￥24.109
管件
数量价格
1￥24.109
50￥12.112
100￥10.95
500￥9.475
1000￥8.254
2000￥8.005
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