FCP850N80Z
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列SuperFET® II
包装管件
封装/外壳TO-220-3
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220-3
功率耗散（最大值）136W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）800 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1315 pF @ 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）850 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)不适用
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：766制造商标准包装数量
数 量:
￥24.542
总 价:
￥24.542
管件
数量价格
1￥24.542
10￥14.767
100￥11.285
800￥8.848
1600￥8.446
工商网监