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连接器,互连器件
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FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
产品型号FDC855N
品牌onsemi
包装卷带(TR)
描述MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
MR编号M469383214
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列PowerTrench®
包装卷带(TR)
封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
等级-
技术MOSFET(金属氧化物)
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SuperSOT™-6
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)30 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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现货:5189
数 量:
¥1.72
总 价:
¥1.720
卷带(TR)
数量价格
3000¥1.72
6000¥1.629
9000¥1.51
30000¥1.494
制造商标准包装数量
IXTY01N100MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AALittelfuse Inc.

¥14.045详细信息

FDMS007N08LCMOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFNonsemi

¥7.327详细信息

IPB123N10N3GATMA1MOSFET N-CH 100V 58A D2PAKInfineon Technologies

¥6.13详细信息

IXTA36N30PMOSFET N-CH 300V 36A TO263Littelfuse Inc.

¥35.963详细信息

BSC900N20NS3GATMA1MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8Infineon Technologies

¥4.767详细信息