FDS2672
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列UltraFET™
包装卷带（TR）
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
等级-
技术MOSFET（金属氧化物）
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SOIC
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）200 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：3940制造商标准包装数量
数 量:
￥6.147
总 价:
￥6.147
卷带（TR）
数量价格
2500￥6.147
5000￥5.917
12500￥5.72
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