FQD1N80TM
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列QFET®
包装卷带（TR）
封装/外壳TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-252AA
功率耗散（最大值）2.5W（Ta），45W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）800 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）195 pF @ 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）20 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）7.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±30V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：3436制造商标准包装数量
数 量:
￥2.993
总 价:
￥2.993
卷带（TR）
数量价格
2500￥2.993
5000￥2.776
7500￥2.707
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