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传感器,变送器
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集成电路(IC)
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连接器,互连器件
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GAN3R2-100CBEAZ

100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
产品型号GAN3R2-100CBEAZ
品牌Nexperia USA Inc.
包装卷带(TR)
描述100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
MR编号M390493958
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带(TR)
封装/外壳8-XFBGA,WLCSP
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
等级-
技术GaNFET(氮化镓)
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-WLCSP(3.5x2.13)
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)100 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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现货:811
数 量:
¥12.998
总 价:
¥12.998
卷带(TR)
数量价格
1500¥12.998
3000¥12.24
制造商标准包装数量
CSD17571Q2MOSFET N-CH 30V 22A 6SONTexas Instruments

¥0.987详细信息

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