GP2T080A120H
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装管件
封装/外壳TO-247-4
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
技术SiCFET（碳化硅）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-4
功率耗散（最大值）188W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）1200 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1377 pF @ 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）100 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）61 nC @ 20 V
Vgs（最大值）+25V，-10V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：133制造商标准包装数量
数 量:
￥84.951
总 价:
￥84.951
管件
数量价格
1￥84.951
10￥72.829
100￥63.315
500￥55.207
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