IMBG120R350M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263产品型号IMBG120R350M1HXTMA1
品牌Infineon Technologies
包装卷带（TR）
描述SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
MR编号M471541316
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列CoolSiC™
包装卷带（TR）
封装/外壳TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
等级-
技术SiCFET（碳化硅）
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO263-7-12
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）1200 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：1782制造商标准包装数量
数 量:
￥23.322
总 价:
￥23.322
卷带（TR）
数量价格
1000￥23.322
2000￥21.96
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