IMDQ75R016M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET产品型号IMDQ75R016M1HXUMA1
品牌Infineon Technologies
包装卷带（TR）
描述SILICON CARBIDE MOSFET
MR编号M644223250
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列448
包装卷带（TR）
封装/外壳22-PowerBSOP 模块
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
等级-
技术SiCFET（碳化硅）
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-HDSOP-22-1
功率耗散（最大值）384W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）750 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2869 pF @ 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)98A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）15毫欧 @ 41.5A，20A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5.6V @ 14.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）80 nC @ 18 V
Vgs（最大值）+23V，-5V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)3（168 小时）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：593制造商标准包装数量
数 量:
￥104.172
总 价:
￥104.172
卷带（TR）
数量价格
750￥104.172
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