IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223产品型号IPN60R2K1CEATMA1
品牌Infineon Technologies
包装卷带（TR）
描述MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
MR编号M585743488
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列448
包装卷带（TR）
封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-SOT223-3
功率耗散（最大值）5W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）600 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）140 pF @ 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）2.1 欧姆 @ 800mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.5V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）6.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：14127制造商标准包装数量
数 量:
￥1.395
总 价:
￥1.395
卷带（TR）
数量价格
3000￥1.395
6000￥1.281
9000￥1.224
15000￥1.157
21000￥1.132
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