IPTG017N12NM6ATMA1
TRENCH >=100V产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列448
包装卷带（TR）
封装/外壳8-PowerSMD，鸥翼
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
等级-
技术MOSFET（金属氧化物）
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-HSOG-8-1
功率耗散（最大值）3.8W（Ta），395W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）120 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）11000 pF @ 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)32A（Ta），331A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.7 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.6V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）141 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：1504制造商标准包装数量
数 量:
￥26.095
总 价:
￥26.095
卷带（TR）
数量价格
1800￥26.095
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