IQE006NE2LM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET产品型号IQE006NE2LM5CGSCATMA1
品牌Infineon Technologies
包装卷带（TR）
描述OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
MR编号M740673661
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列448
包装卷带（TR）
封装/外壳9-PowerWDFN
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
等级-
技术MOSFET（金属氧化物）
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-WHTFN-9-1
功率耗散（最大值）2.1W（Ta），89W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）25 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）5453 pF @ 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)47A（Ta），310A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）0.58 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）82 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±16V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：5685制造商标准包装数量
数 量:
￥7.5
总 价:
￥7.500
卷带（TR）
数量价格
6000￥7.5
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