IRL640PBF
MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装管件
封装/外壳TO-220-3
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220AB
功率耗散（最大值）125W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）200 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1800 pF @ 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）180 毫欧 @ 10A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）66 nC @ 5 V
Vgs（最大值）±10V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：917制造商标准包装数量
数 量:
￥23.026
总 价:
￥23.026
管件
数量价格
1￥23.026
50￥11.499
100￥10.381
500￥8.418
1000￥7.786
2000￥7.255
5000￥7.218
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