IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列HiPerFET™, Polar
包装管件
封装/外壳SOT-227-4，miniBLOC
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型底座安装
供应商器件封装SOT-227B
功率耗散（最大值）1000W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）1200 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）21000 pF @ 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）310 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）360 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±30V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：400制造商标准包装数量
数 量:
￥519.568
总 价:
￥519.568
管件
数量价格
1￥519.568
10￥470.864
100￥422.151
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