IXFN80N50Q3
MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列HiPerFET™, Q3 Class
包装管件
封装/外壳SOT-227-4，miniBLOC
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型底座安装
供应商器件封装SOT-227B
功率耗散（最大值）780W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）500 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）10000 pF @ 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）65 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）6.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）200 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±30V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：148制造商标准包装数量
数 量:
￥378.189
总 价:
￥378.189
管件
数量价格
1￥378.189
10￥336.99
100￥295.791
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