IXFP7N100P
MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列HiPerFET™, Polar
包装管件
封装/外壳TO-220-3
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220-3
功率耗散（最大值）300W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）1000 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2590 pF @ 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.9 欧姆 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±30V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：300近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥23.751
总 价:
￥23.751
管件
数量价格
300￥23.751
工商网监