IXTA3N100D2
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列Depletion
包装管件
封装/外壳TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
等级-
技术MOSFET（金属氧化物）
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-263AA
功率耗散（最大值）125W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）1000 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1020 pF @ 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）5.5 欧姆 @ 1.5A，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）37.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能耗尽模式
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：406制造商标准包装数量
数 量:
￥54.566
总 价:
￥54.566
管件
数量价格
1￥54.566
50￥29.877
100￥27.773
500￥24.562
工商网监