IXTP3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列HiPerFET™
包装管件
封装/外壳TO-220-3
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220-3
功率耗散（最大值）200W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）1200 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1350 pF @ 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)不适用
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：670制造商标准包装数量
数 量:
￥67.414
总 价:
￥67.414
管件
数量价格
1￥67.414
50￥37.156
100￥34.236
500￥30.492
工商网监