MCG35P03A-TP
POWER MOSFET产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带（TR）
封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
等级-
技术MOSFET（金属氧化物）
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装DFN3333
功率耗散（最大值）62.5W（Tj）
FET 类型P 通道
漏源电压（Vdss）30 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2718 pF @ 15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）9 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)3（168 小时）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：9950近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥1.331
总 价:
￥1.331
卷带（TR）
数量价格
5000￥1.331
10000￥1.240
25000￥1.176
50000￥1.148
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