NE3516S02-T1C-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带（TR）
封装/外壳4-SMD，扁平引线
技术GaAs HJ-FET
供应商器件封装S02
频率12GHz
电压 - 额定4 V
额定电流（安培）60mA
配置N 通道
功率 - 输出165mW
增益14dB
噪声系数0.35dB
电压 - 测试2 V
电流 - 测试10 mA
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
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