NTHL1000N170M1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装管件
封装/外壳TO-247-3
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
技术SiCFET（碳化硅）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-3
功率耗散（最大值）48W
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）1700 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）150 pF @ 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.43 欧姆 @ 2A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.3V @ 640µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）14 nC @ 20 V
Vgs（最大值）+25V，-15V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)不适用
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：355制造商标准包装数量
数 量:
￥39.625
总 价:
￥39.625
管件
数量价格
1￥39.625
10￥26.451
100￥18.945
500￥15.735
1000￥14.873
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