NTMFS6H852NLT1G
MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带（TR）
封装/外壳8-PowerTDFN，5 引线
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装5-DFN（5x6）（8-SOFL）
功率耗散（最大值）3.6W（Ta），54W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）80 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）906 pF @ 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A（Ta），42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）13.1 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 45µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：435制造商标准包装数量
数 量:
￥2.495
总 价:
￥2.495
卷带（TR）
数量价格
1500￥2.495
3000￥2.293
4500￥2.189
7500￥2.075
10500￥2.05
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