NVD4C05NT4G
MOSFET N-CH 30V DPAK-3产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带(TR)
封装/外壳TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
等级汽车级
技术MOSFET(金属氧化物)
资质AEC-Q101
安装类型表面贴装型
供应商器件封装DPAK
功率耗散(最大值)3.5W(Ta),57W(Tc)
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)30 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1950 pF @ 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)22A(Ta),90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.1 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)14 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货:1620制造商标准包装数量
数 量:
¥5.472
总 价:
¥5.472
卷带(TR)
数量价格
2500¥5.472
5000¥5.267
12500¥5.091