RQ3E150BNTB
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT产品型号RQ3E150BNTB
品牌Rohm Semiconductor
包装卷带（TR）
描述MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
MR编号M345173776
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带（TR）
封装/外壳8-PowerVDFN
工作温度150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-HSMT（3.2x3）
功率耗散（最大值）2W（Ta），17W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）30 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3000 pF @ 15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A（Ta），39A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）5.3 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：3000制造商标准包装数量
数 量:
￥1.604
总 价:
￥1.604
卷带（TR）
数量价格
3000￥1.604
6000￥1.476
9000￥1.41
15000￥1.337
21000￥1.293
30000￥1.29
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