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RS3E180ATTB1

MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
产品型号RS3E180ATTB1
品牌Rohm Semiconductor
包装卷带(TR)
描述MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
MR编号M851360281
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带(TR)
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度150°C(TJ)
技术MOSFET(金属氧化物)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SOP
功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
FET 类型P 通道
漏源电压(Vdss)30 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7200 pF @ 15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.4mOhm @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)160 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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现货:4154
数 量:
¥7.993
总 价:
¥7.993
卷带(TR)
数量价格
2500¥7.993
制造商标准包装数量
RQ3E180GNTBMOSFET N-CH 30V 18A 8HSMTRohm Semiconductor

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