RS6N120BHTB1
NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE产品型号RS6N120BHTB1
品牌Rohm Semiconductor
包装卷带（TR）
描述NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
MR编号M821476315
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带（TR）
封装/外壳8-PowerTDFN
工作温度150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-HSOP
功率耗散（最大值）104W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）80 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3420 pF @ 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.9 毫欧 @ 60A，6V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：1238近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥8.777
总 价:
￥8.777
卷带（TR）
数量价格
2500￥8.777
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