S2M0025120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V产品型号S2M0025120K
品牌SMC Diode Solutions
包装管件
描述MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
MR编号M321426635
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装管件
封装/外壳TO-247-4
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
技术SiCFET（碳化硅）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-4
功率耗散（最大值）446W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）1200 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）4402 pF @ 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）34 毫欧 @ 50A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 15mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）130 nC @ 20 V
Vgs（最大值）+25V，-10V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：270近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥308.178
总 价:
￥308.178
管件
数量价格
1￥308.178
30￥258.254
120￥241.039
工商网监