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SCTW40N120G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
产品型号SCTW40N120G2V
品牌STMicroelectronics
包装管件
描述SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
MR编号M144193888
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装管件
封装/外壳TO-247-3
工作温度-55°C ~ 200°C(TJ)
等级-
技术SiCFET(碳化硅)
资质-
安装类型通孔
供应商器件封装HiP247™
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)1200 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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现货:585
数 量:
¥84.153
总 价:
¥84.153
管件
数量价格
1¥84.153
30¥70.518
制造商标准包装数量
B11G3338N81DXRF MOSFET LDMOS 36QFNAmpleon USA Inc.

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