SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120产品型号SCTWA60N120G2-4
品牌STMicroelectronics
包装管件
描述SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
MR编号M136650161
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装管件
封装/外壳TO-247-4
工作温度-55°C ~ 200°C（TJ）
技术SiCFET（碳化硅）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-4
功率耗散（最大值）388W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）1200 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1969 pF @ 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）52 毫欧 @ 30A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）94 nC @ 18 V
Vgs（最大值）+22V，-10V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：594制造商标准包装数量
数 量:
￥167.438
总 价:
￥167.438
管件
数量价格
1￥167.438
10￥154.406
30￥147.466
120￥131.852
270￥125.779
510￥119.708
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